MACOM PH1090-75L是规模广泛的硅双极晶体管产品，专为 DC 至 3.5 GHz 的运用而规划。咱们的硅双极晶体管很合适民用航空电子设备、通讯、网络、雷达以及工业、科学和医疗运用。咱们的全金金属化制作工艺可保证地上和太空运用的高功用和长时刻可靠性。MACOM PH1090-75L特征饱满输出功率：24 dBm契合 RoHS*尺度：1800 x 2

  MACOM MA4M3050是4M 系列 MNS（金属氮化硅）片式电容器专为微波电路运用中的高可靠性和可重复功用而规划。这些电容器选用低压化学气相堆积 (LPCVD) 制作，可构成细密、均匀的氮化物层。与相似的 MOS、MIS 和陶瓷电容器比较，这一些器材具有更高的单位面积电容（导致芯片尺度更小）和更高的耐用性。蒸镀金触点用于在电容器芯片上供给易于接合的金属焊

  ELDC-10是一款高高功用 75 欧姆耦合器，低成本，外表挂载包。 ELDC-10 专为运用而规划在大容量 CATV 运用中。 典型运用包含机顶盒、网络接口单元、线路放大器和前端设备。ELDC-10特征耦合 7db 典型供给卷带包装外表贴装 最小频率(MHz) 40最大频率(MHz) 1002插入损耗(dB) 1.900耦合，标称 (dB) 7.2隔

  MA4P4002B-402 是一种硅倒装芯片 PIN 二极管，选用取得专利的 HMIC 工艺制作，可供给可重复的电气特性。该二极管选用专为极低寄生效应规划的工艺在外延晶片上制作。二极管用氮化硅彻底钝化以最小化走漏电流。该芯片还具有额定的聚合物层，用于维护冲击和划痕，以避免在处理进程中损坏有源区域。小外形和低 0.05pS RC 产品使该器材适用于在高达 18

  MA4PK3000-1252一种外表贴装非磁性金属电极中的PIN二极管无铅面 (MELF) 封装。设备包含 M/A-COM 技能解决方案时刻通过验证的 HIPAX 技能可发生低电感陶瓷封装没有丝带或晶须线。该包选用 M/A-COM技能解决方案 新式无磁电镀供给密封封装的进程具有极低的渗透性。归入该封装是一个玻璃钝化 PIN 芯片，是全面粘合在阴极和阳极上最大

  MACOM的XL1002-BD三级平衡20.0-36.0 GHz GaAs MMIC低噪声放大器具有23.0 dB的小信号增益，整个频带的噪声系数为2.6 dB。该MMIC选用MACOM的GaAs-pHEMT器材模型技能，并根据电子束光刻技能，以保证高重复性和均匀性。芯片具有外表钝化功用，以维护并供给具有反面通孔和金金属化的巩固部件，然后答应导电环氧或共晶焊

  MRF10120首要规划用于960–1215 MHz长脉冲共基极放大器运用，如JTIDS和S形式发射机。MRF10120产品规范零件编号 MRF10120简略描绘 微波长脉冲功率硅NPN晶体管120W（峰值），960–1215MHz最小频率（MHz） 960最大频率（MHz） 1215偏压（V） 36普特（W） 120增益（dB）

  描绘SP2T PIN 二极管开关，MSW2030-203、MSW2031-203 和 MSW2032-203 系列外表贴装硅 PIN 二极管 SP2T 开关包含三个开关，可用于 50 MHz 至 1 GHz 的高功率发射/接纳 (TR) 开关或有源接纳器维护，分别为 400 MHz 至 4 GHz 和 2 至 6 GHz。这些开关选用老练的混合制作工艺制作，

  描绘MAOC-009259 是根据 InGaP HBT 的压控振荡器，用于频率生成。无需外部匹配组件。该 VCO 可通过二分频输出轻松集成到锁相环中。极低的相位噪声使该器材很合适许多无线电运用，包含大容量数字无线 首要运用是点对点无线电、点对多点无线电、通讯体系和低相位噪声运用。5 mm PQFN 封装选用无铅外表处理，契合 Ro

  ABA5X / ABA5XF - 5W X 波段上变频器 ABA5X / ABA5XF规范输出接口 CPR-137G、CPR-112G、WR-90G、WR-112G输出功率 +37 dBm 最低温度转化增益 标称 64 分贝外部参阅所需频率 外部参阅输入功率相位噪声（超越 Intelsat 的规范 IESS308/309） 1